老化是一種試驗,用來(lái)篩選或排除少量因制造失常而導致固有缺陷或缺陷的設備,而這些缺陷會(huì )引發(fā)和時(shí)間和應力相關(guān)的故障。
為什么要老化?
我們選用可靠性專(zhuān)家經(jīng)常使用一個(gè)圖像來(lái)描述產(chǎn)品的壽命,這個(gè)圖像被稱(chēng)作浴盆曲線(xiàn)。
浴盆曲線(xiàn)由三個(gè)階段組成:故障率減小的早期故障階段,接下來(lái)為正常壽命階段(也叫做有效壽命),故障率較低且相對穩定,zui后為磨損階段,故障率是增加的。
很多類(lèi)型的設備和系統在早期壽命中展示出固有的減少的故障率特性。相對較高的早期故障率通常歸因于生產(chǎn)過(guò)程中的固有不確定性。很長(cháng)時(shí)間以來(lái),老化已經(jīng)被認為是在交貨前檢測和消除部件或系統早期故障的一種有效方法。沒(méi)有老化,缺陷部件可能就被交付到了用戶(hù)手中,導致昂貴的現場(chǎng)維修和名譽(yù)上的損害。
對一電子部件進(jìn)行老化試驗。在初始的試驗中,累積的故障百分比如下:
1、第1天有6%故障
2、第2天有10.1%故障
3、第3天有12%故障
4、第4天有13.8%故障
5、第5天有14.5%故障
6、第6天有15%故障
7、第7天有15.1%故障
老化就是藉由讓半導體進(jìn)行超負荷工作而使缺陷在短時(shí)間內出現,避免在使用早期發(fā)生故障。如果不藉由老化,很多半導體成品由于器件和制造制程復雜性等原因在使用中會(huì )產(chǎn)生很多問(wèn)題。
注意,老化并非是產(chǎn)品改進(jìn)技術(shù)。對一些產(chǎn)品進(jìn)行老化不能改善每個(gè)單元單獨的可靠性。然而,老化通過(guò)清除劣質(zhì)的部分來(lái)提高了整體的可靠性,使得單元總體更加可靠和均勻。老化同樣還會(huì )提供
造成早期故障的不同故障機理的重要信息,為監控制造過(guò)程的質(zhì)量工程師和幫助分析導致早期故障機理出現的變化提供有價(jià)值的反饋。
尚測生產(chǎn)的各種老化房符合標準:
1.GB/T 2423.2—2008《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗B:高溫》;
2、MIL-STD-883D、MIL-M-38510、GJB548、GJB597等試驗標準。
適用范圍:適用于各種封裝形式的模擬、大、中、小規模數字、數?;旌霞呻娐?,包括可編程器件、微處理器、邏輯電路、存儲器、A/D、D/A等器件的工作壽命試驗和高溫動(dòng)態(tài)老化篩選。
一、集成電路高溫老化系統技術(shù)特點(diǎn):
① 、 一板一區,可滿(mǎn)足16種不同試驗參數的器件同時(shí)老化。
② 、 完善的、種類(lèi)齊全的老化器件數據庫可供用戶(hù)調用。
③ 、強大的圖形發(fā)生系統,64路數字和2路模擬可編程信號。
二、PCBA老化房技術(shù)性能:
2.1、PCBA老化房試驗區域
16個(gè) (一板一區):8個(gè) (一板一區)
2.2、試驗容量
200×16=320位(以DIP14為例):136×8=1088位(以DIP14為例)
2.2.1、一級電源
8∽16臺25V/40A或40V/2等規格可選;4∽8臺25V/40A或40V/2等規格可選
2.2.2、二級電源
◆、每路二級電源具有過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、短路和過(guò)熱等保護功能。
◆、每個(gè)通道提供獨立程控的VCC、VMUX、VCLK、VEE四路二級電源。
◆、電源監測:實(shí)時(shí)監測記錄二級電源的電壓,并可生成圖形曲線(xiàn),便于試驗監控。
◆、輸出能力:±1.00V~±18.00V/10A。
2.2..3、數字信號
◆每個(gè)通道:64路數字信號。
◆編程能力:編程深度256Kbit;zui小編程步長(cháng):100ns;編程分辨率:100ns;zui高信號頻率:5MHz。
◆尋址能力:可尋址64Gbit(老化ROM/SRAM等) A00~A35, 可尋址行列地址刷新器件64Gbit(老化DRAM/SDRAM等)AXX~A17,AYY:A00~A17。
◆驅動(dòng)能力:IOL≥300mA、IOH≥100mA、Tr≤50ns、Tf≤50ns。
◆信號特性:每路均具有數據、地址、控制、三態(tài)屬性編輯功能。
2.2..4、集成電路高溫老化系統模擬信號
◆、模擬信號數:2路
◆、波形類(lèi)型:三角波、正弦波、前沿鋸齒波、后沿鋸齒波、矩形波。
◆、模擬信號指標: 信號可編程頻率:1Hz~32KHz; 程控幅度范圍Vpp:0~±10V;
直流偏移量范圍Vdc:0~1/2 Vpp;編程步長(cháng): 0.01V;驅動(dòng)能力:≥1.0A;
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